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Typical Characteristics
1.15
2000
1.10
I D = 250 μ A
1000
C iss
1.05
C oss
1.00
0.95
100
f = 1MHz
C rss
0.90
-80
-40 0 40 80 120
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
160
10
0.1
V GS = 0V
1 10
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE ( V )
50
Figure 11. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
Figure 12. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 14.
10
I D = 4.3A
8
V DD = 20V
6
4
2
V DD = 30V
V DD = 40V
0
0
3
6 9
12
15
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 13. Gate Charge vs Gate to Source Voltage
FDC5661N_F085 Rev. A
6
www.fairchildsemi.com
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